PMZB670UPE,315
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
PMZB670UPE,315 datasheet
-
МаркировкаPMZB670UPE,315
-
ПроизводительNXP Semiconductors
-
ОписаниеNXP Semiconductors PMZB670UPE,315 Configuration: Single Continuous Drain Current: - 680 mA Drain-source Breakdown Voltage: - 20 V Factory Pack Quantity: 10000 Gate-source Breakdown Voltage: +/- 8 V Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOT-883B Power Dissipation: 715 mW Resistance Drain-source Rds (on): 850 mOhms Rohs: yes Transistor Polarity: P-Channel RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: - 20 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 8 V Resistance Drain-Source RDS (on): 850 mOhms
-
Количество страниц15 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
05.06.2024
04.06.2024
03.06.2024